Mechanical exfoliation
Epitaxial growth
Chemical vapor deposition (CVD)
12 – Functionalize structure
وًيه
تحمیمبت فولی، هذٍٍل الاػتیـه ثبلاتش اص یه تشاپبػىبل سا ثـشای بً لَ لـ ّب ًــِبى هی دّّـذ. ّن چٌیي، افضٍٍى ثش خَاف هىبًًٍیَىی، بً ل ل ّبی وشثٌٌی اص خَاف الىتشیىی، حشاستی هغٌٌبعیؼی یظُ ای ًیض ثشخَسداس ؼتٌٌذ. اص ػَی دیگش چگبلی ون ّذایت حشاستی ثبلا، ػجت وبسثشدٍ گؼِتشدُ آى ّب دس لغقٍبت ثب ًؼجت اػتحىبم ث ٍصى ثبلا ث خلَف دس وبهپَصیت ّبی پلیوشی ؿذؿذُ اػِت]13[.
دس دّدِّ گزؿتگزؿتِ هغبلقبتی ثش سٍٍی خَاف حفبؽتی ٍ خلَكِیبت الىٍتش هغٌٌبعیغ بً وبهپَصیت ّبی پلیوشی بً ل ل وشثي گشافي اًدبم ؿذُ اػت]14-21[. ثشای هثبل، كبلح1 ٍ وىبساًّوىبساًؾًؾ]14[ هىبًًیضم ّبی حفبؽت اص تذاخلِ اهَاج الىتش هغٌٌبعیغ بً وبهپَصیتّ ّبی پشٍٍپیلي- بً ل ل وشثي سا ثشسػی وشدُ ٍ ضوي گضاسؽ هىبًًیضم خزة ث فٌ َاى هىبًًیضم غٍبلت حفبؽتِ، همذاس حفبؽت ثشای همِبدیش صیش 1 دسكذ صًی بًًبًَل ل وشثي سا ون تش اص dB5 گضاسؽ وشدُ اًًذ .آًدٍَوبپًتب2 ّوىبسؽ]16[ ، خلَكیبت دی الىتشیه حفبؽت اص تذاخل اهَاج الىتش هغٌٌبعیغ بً وبهپَصیتّ ّبی پلی تشی هتیلي تشی فتبلات – بً ل ل وشثي سا دس ثبًذٍ فشوبًًؼی GHz( Ku 18– 4/12( هَسد ثشِسػی لشاس داد ثشای 5/0 دسكذ بً ل لًبًَلَلِ وشثي، ّذایت الىتشیىی سا ثشُاثش ثب S/cm 004/0، ثخؾ حمیمی ههََّهیَهی فَرپزیشی الىتشیىی سا ثثِ تٍشتیت ثشاثش ثب 05/4 ٍ 8/0 دس فشوبًغ GHz4/12 4/2 02/0 دٍس فشوبًغ GHz18 گضاسؽ دادُ اًذ. ّن چٌیي، دثلیض3 وىبساًؾ ]6[ دس تحمیمبت خَد گضاسؽ وشٍدًذ و ثشای بً وبهپَصیت ّبی اپَوؼی ثب تشویت 1/0 5/0 دسكذِ صًی گشافي ثشای ثبصُ فشوبًًؼی 8 تب GHz18 ثِ تشتیت ث همبدیش 2/3 4/5 ثشای ثخؾ حمیمی ٍ 1/0 7/0 ثشای ثخؾ ههََّهیَهی فَرپزیشی الىتشیىی سػیذُ اًذ ٍ فبوتَس
اتلاف یب تبًظاًًت اتلاف آىِ ّب و ث كَست

تقشیف هی ؿَد ث تشتیت ثشاثش ثب 03/0 ٍ 13/ گضاسؽ ؿذُ اػت. دس تحمیمبت فَق ّش وذام اص هحممیي دس ؿشایظ تقشیف ؿذُ ثشای تحمیك خَد همبدیشی سا ثشای خلَكیبت دی الىتشیه بً وبهپَصیت ّبی بًًبًَ ل للَلِ وشثٌٌی ٍ گشافي گضاسؽ

Mohammed H. Al-Saleh
Anju Gupta
De Bellis
وشدُ اًًذ. خذا اص ایي و حدن اعلافبت ه تـشؿذُ ونهی ثبؿذ، گبّی اختِلافبتی ًیض دس آى ّب دیذهی ؿَد]17،20[. اص عشفی دِیگش ثب ت خ ث تفبٍٍتُ ػبختبسی ه خَد هب ثیي بًًبًَ ل ل وشثٌٌی گشافي، گضاسؿی دس استجبط ثب هیضاى تأثیش آى دس خلَكیبت دی الىتشیه بً وبهِپ َصیتّبی آى ّب ـذُ اػت .دس ایي تحمیك ،گشَافي ث سٍٍؽ اًًجؼبط احًیبی حشاستی تَلیذ ؿذ]22[ بً ل ل وشثٌٌی چٌٌذ دی اسُدیَاسُ ثب خلَف 95 دسكذ ٍ ثٍٍب هـَخلبت عَل μm30 -10، لغش خبسخی nm20 -10 لغشِ داخلی nm10-5، خشیذاسی ؿذ. ثشای ػبخٍت و ّبی بً وبهپَصیت اص سصیي اپَوؼی ٍ سٍؽٍ سیخًَت گشی اػتفبدُ ؿذ .ػپغ ثب ت خ ث ایي ووِ گشافي بً ل ل وشثيٍ خبكیت هغٌٌبعیؼِی ذاسًًذ ،خلَكیبت دیَ الىتشِیه فبوتَس اتلاف و ًوًَِّب دس ثبًًذ X اهَاج الىتشٍ هغٌٌبعیغ )8 تب GHz12 ( اًذاص گیشی ٍ همبیؼهمبیؼِ گشدیذ.

مواد و روش ها دستگاه ها
اػٍیذ ػ لفَسیه، اػیذ ًیتشیه، ولشات پتبػین، اػیذ یذسٍولشیه، ولشیذ ثبسین گشافیت ثشای ػٌتض گشافي اص وبیٌٌذگی ؿشوت هشن آلوبى دس ایشاى خشیذاسی ؿذ. سصیي اپَوؼی ثب وذ M506 بسدًًش پلی آهیٌٌی ثب وذ HA11 اص ؿشوت هَاد هىشس خشٍیذاسی گشِدیذ.
ه سف لهَسفَلَطیَطی گشافي ػٌٌتض ؿذُ، بًًبًَ ل ل وشثي خشیذاسی ؿذُ ػغح ؿىؼت بً وبهپَصیت ّبی اپ وؼی خِْت ثشسػیٍ حَ پخؾ بً ل ل وشثٌٌی گشافي دس صهیٌ ثب ووه هیىُش ػىَح الىتش ًی سٍٍثـی “هذل S4160 ,FESEM ػبخت ؿشوت Hitachi وـَس طاپي” ٍ هیىش ػىهیىشٍػىَحَح الىتش ًی سسٍثـیٍثـی “هذل LEICA CAMBRIDGE S360″ ثشسػی گشدیذ .ثشای اًذاص گیشی فَر پزیشی الٍىتشیىی اص ؿجى آًًبلیض وٌ ذُ اػىبلشُ 4″هذل 8757D” ػیگٌٌبل طًشاتَس 26.5GHz “هذل
8363OL” اػتفبدُ ؿذ.

4- Scalar Network Analyzer (SNA)
66خصًصیاتواو کامپًصيتَ
تولیذ گرافن
بً كفحبت گشافٌٌی ثش اػبع وبس لجلی[22] ث سٍٍؽاًجؼبطَ احیبی حشاستی تَلیذ ؿذ. دس ایي سٍٍؽ، گِشافیت ث هخلَط اػیذ ػَلفشیه غلیؼ اػیٍذ ًیتشیه غلیؼ دس حِوبم حبٍٍی آة یخ افض دُ ؿٍذُ ث تذسیح ولشات پتبػین ث ایي هخلَط اضبف هی ؿَد. ػپغ هخلَط ث دػت آهذ تب صهبًًی و یَىِ ػَلفبت ث ػیل هحلَل وِلشیذ ثبسینُ تـخیق دادُ ـًـَدَد ثب هحلَل اػیذ یذسٍٍِولشیه ؿؼت هی ؿَد. پَدس ث دػت آٍهذُ دس ایي هشحل اوؼیذ گشافیِت ث دُ و خـهِ ؿذُِ دس اتوؼفش یتشٍٍطى، ؿََن حشاستی دادُ هی ؿَد تب ث گشافي تجذیل ؿَد.
گشافي تَلیذ ؿذُ داسای كفحبت غیش هٌؾن ٍ دس ّن پیچیذُ هی ثبؿذ. پ ٌبیٍ كفحبت ضخبهت ایي گشافي ثثِ تِشتیت وِن تش اص nm 3μm4 اػتٍِ. اص عشف دیگش ثب ت خ ث فبكِل كفحبت دس گشافیت، ث عَس تمشیجی هی تَاىِِ گفت و گشافي تَلیذی اص تقذاد كفحبت ون تش اص 10 لای تـىیل ؿذُ اػت.

ساخت نمونه های نانوِکامپوزیت
اص سٍٍؽ سیخت گشی ثشای ػبخت وًوًَِ ّبی بً وبهپَصیت تب 5/0 دسكذ صًی بً ل لِ وشثٌٌی یب گشافي اػتفبدُ ؿذ. ثشای اًدبم ایيٍ وبس، بًَ ل ل ّبی وشثٌٌی یب سل ّبی گشافيِ ثب ث شُ گیشی اص دػَتگبُ التشاػ ًیه ثب تَاى W200 ث هذت ًینِ ػبفت دس حلال اػتَى پخؾ ؿذًًذ. پِغ اص آى ثب اضبف وشدى اپَوؼِی، هخلَط حبكل دٍ ثبسُ ث هذت min80 دس ؿشایظ هـبث فَق ّن صدُ ؿذ. ثشای خبسج ػبصی حلال اص هخلَط، اص خـهِ وي دس دهبی Co60 اػِتفبد گٍشدیذ. دس ْبیت، بسدًش ث هخلَط آهبدُ ؿذُ اضِبف ؿذُ پغ اص گبصِ صدایی دس هحِیظ خلأ، دس لبلت وًوًَِ ّب سیخت ؿذ .لاصم ث روش اػت و و ّب پغ اص 7 سًٍٍص سػِیذى ث هشحل پخت وبهلً، هَسد آصهبیؾ لشاس گشفتٌٌذ.

بررسی پخص تقویت کننذه ها در زمینه اپوکسی
ثشای ثشسػی حًَحَُ پخؾ تمَیت و ذُوٌٌذُ ّب دس صهیٌصهیٌِ ،اثتذا ؿیبسی ثب فوك ون تش اص mm1 سٍٍی وًوًَِ ّب ایدبد ؿذ. ػپغِ وًوًَِ ّب ث هذت min30 دسٍىِ یتَشًٍِطىٍ هبیـِ لشاس گشفت پغً اص آى خبسج ٍ ثلافبكل ثب یه ػیل هقوَلی هبًٌذ اًًجشدػت اص هحل ؿیبس ؿىِؼت ؿذًذ. دساًتْْب ػغح ؿىؼت ایدبد ؿذ ث ػیل هِیىشٍ ػىَحالىتشٍ ًی سٍٍثـی هَسد ثشسػی لشاسُ گشِفت .

انذازه گیری خصوصیات دی الکتریک
ثشای اذاص گیشی خلَكیبت دی الىتشیه اص الگَسیتن پیـ ْبد ؿذُ تَػظ هٌٌتلشی]23[ اػتفبداػتفبدُ ؿذ. دس ایي سٍٍؽ، فَر پزیشی الىتشیىی هختلظ ثش اػبع سٍٍؽ یىلؼَى، سع، ٍیش اهب ثذٍٍى ًیبص ث اذاصُ گیشی فبص ت ْب ثب داؿتي یه وًوَداسَداس و هی ت اًًذ اًذاصاًذاصُ پبساهتشٍ تفشقِ1)11S یِب 22S( ثبؿذ، ث دػت هی آیذ. ثٌٌبثشایي وًوًَِ ّبی ت ی ؿذُ ثب اػتفبداػتفبدُ اص هَج ثش2 ثبًًذ ایىغ ثب اثقبد mm8/22 ٍ mm1/10 ٍ ضخبهت mm10 دس دػتگبُ ؿجى آًًبلیض و ذُ اػىبلش تٍحت تبثؾ اهَاج دس هحذ دُ 8 تبِ GHz12 لٌشاس گشفتٌذ ضشایت تفشق آىّ ّب اػتخشاج ؿذًذ. ػپغ ثب اػتفبدُ اص الگَسیتٍن هَسد اػتفبدُ تَػظ هٌٌتِلشی، فَر پزیشی الىتشیىی فبوتَس اتلاف آىّ ّب هحبػج گشدیذ. وًوًَِ ای اص وبس اًًدبم ؿذؿذُ دس ؿىل 1 ًـبى داددادُ ؿذؿذُ اػتً.




در این سایت فقط تکه هایی از این مطلب با شماره بندی انتهای صفحه درج می شود که ممکن است هنگام انتقال از فایل ورد به داخل سایت کلمات به هم بریزد یا شکل ها درج نشود

شما می توانید تکه های دیگری از این مطلب را با جستجو در همین سایت بخوانید

ولی برای دانلود فایل اصلی با فرمت ورد حاوی تمامی قسمت ها با منابع کامل

اینجا کلیک کنید

ضکل 1- وتايج اوذاصٌ گیشی عملی ي محاسبات اوجام گشفتٍ با سيش مىتصشی بشای ومً وٍ 3/0 دسصذ يصوی واوً ل لٍ کشبىی مىحىی

Scattering parameters
Wave guide
وًيه
نتایج و بحث
ؿىلّ ّبی 2 3 ث تشتیت ه سف لَطی بً ل ل وشثي ٍگشافي اػتفبدُ ؿٍذُ دِس ایي تحمَیك سا ًـبىَ هیِ دّّذ ووِ وبیبًوبیبًگشًگش اًًذاصُ آى ّب دس همیبع بً هی ثبؿذ.
سػیذى ثثِ ؿشایظ خلَكیبَت پیؾ ثیٌٌی ؿذؿذُ ثشای بً وبهپَصیت، ثثِ پخِؾ یىٌ َاخت تمَیت و ذُ دس صهیٌ ثؼتگی داسد. ث ایي ه ؾَس ،ػٌغح ؿىؼتِ بًِ وبهپَصیت ّبی ػبخت ؿذُ هَسد ثشسػی لشاس گشِفتٌٌذِ و و ای اص آى دس ؿِىل 4 آهذُ اػت . ّوبىگ و دس ایيًَ ؿىل هـب ذُ هیؿَد، بًًبًَ ل لِ ّبی وَشًثي ٍ كفحبت گشافي تَصیـ هٌٌبػجی دس صهیٌصهیٌِ داسًذ .



دیدگاهتان را بنویسید